組込 ・ 試作型 LD駆動制御用周辺要素回路ボード

外部制御ポート付低ノイズLD駆動基板 DEV200S

 DRV200Sは,外部から電圧を印加して電流設定値を制御する,超低ノイズのカレント・ドライバです。DRV200Sは、電流制限値とコンプライアンス電圧が可変です。また、DC~5MHzの変調入力を備え、変調ゲインを調整できます。

仕様

DRV200S 取扱い説明

接続端子台

 

VSI: 内部電源。この端子を5V電源に接続してください。最大消費電流は80mAです。

 

VSL: レーザー電源。必要なコンプライアンス電圧に応じて,このピンを3 V~19 Vの電源電圧に接続する。最大消費電流は,レーザー電流に20mAを加えたものになります。レーザー電源は、VSETトリマーによって出力電圧VSETが制御されるリニア・レギュレーターによって内部で調整されています(「コンプライアンス電圧の調整」の項を参照)。リニアレギュレータVSL-VSETの電圧降下は、適切な電圧レギュレーションを確保するために0.5V以上、消費電力を制限するために2V以下に保つ必要があります。

 

EN: Laser Enable pin. 2.2 Vから4.5 Vの間の電圧を印加して、レーザー電流を有効にします。

 

ISET:レーザー電流設定値入力。この端子に電圧を印加して,レーザー電流を設定します。この入力は2 kΩのインピーダンスを持ち,カットオフ周波数10 Hzの2次ローパスフィルターでフィルタリングされます。ゲインはDRV200S-A-40では20mA/V,DRV200S-A-200では100mA/V,DRV200S-A-400では200mA/Vです。

 

IMON:レーザー電流監視端子。このピンの電圧は,レーザー電流に比例します。ゲインは,DRV200S-A-40では50 mV/mA,DRV200S-A-200では10 mV/mA,DRV200S-A-400では5 mV/mAです。出力インピーダンスは1 kΩです。

 

LD+: レーザーアノード端子。レーザーのアノードに接続してください。

 

LD-: レーザのカソード側の端子です。レーザのカソード側に接続してください。

 

RS: 接続しないでください。

 

その他: スイッチ レーザー電流の有効化/無効化

コンプライアンス電圧の調整

 

テストポイントのドライバー電圧VSETは、レーザーの動作電圧と電流に応じて設定する必要があります。以下は、DRV200S-A-40のDATAです。DRV200S-A-200及びDRV200S-A-400のDATAが必要な場合は、問い合わせより要求下されば対応させて戴きます。

DRV200S-A-40の安全動作領域

 

 VSETは、VSETトリマーで2.4Vから18Vの間で調整できます。ここで、RSETはGNDとVSETテストポイント間の抵抗で、ISETはDRV200S-A-40とDRV200S-A-200では100µA、DRV200S-A-400では200µAです。

電流制限

 

 電流制限は、GNDとILIMテストポイント間の抵抗RLIMを設定するILIMトリマーで調整できま 

 す。

電流モジュレーション

DRV200Sは,SMAコネクタを用いてDCから6MHzまでの変調が可能です。MODジャンパにより,3種類の変調ゲインを選択できます。

 

DRV200S-A-40

低:200 µA/V

中:2mA/V

高:20mA/V

 

DRV200S-A-200

低:1 mA/V

中:10 mA/V

高:100 mA/V

 

DRV200S-A-400

低:2 mA/V

中:20 mA/V

高:200 mA/V

 

変調範囲は±1V,入力インピーダンスは50Ωです。

 

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