お客様の仕様に基付き半導体レーザの特性に応じた電圧、電流を定め立上り、立下り時間を極力短時間(n/sec)に成る様回路設計し、お客様の仕様に見合ったパルス駆動光波形を提供致します。

　設計に基付きプロートタイプ基板を製作実験致します。

　プロート基板の特性波形を計測

基板化し、信号形状を確認。

　　　　　紫信号：FET出力信号　　　　　黄色信号：入力信号

黄信号：周波数信号100KHｚ　　　　ブルー信号：レーザ駆動信号

上記ピンク枡部分を拡大

　試作結果DATA　　　　

　　　　　バイアス電圧：175V　　　　　　　　　　　  繰り返し周波数：10KHz     

　　　　　光パルス幅：半値5 ～6nsec 　　　　　　　　ピーク光パワー：65W